书目信息 |
| 题名： |
计算光刻与版图优化
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| 作者： | 韦亚一 ， 粟雅娟 ， 董立松 ， 张利斌 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2021.1 |
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| 页数： | 10,238页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN405.98 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路工艺--电子束光刻 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-121-40226-5 | |
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| 001 | 012001001816 | |
| 005 | 20140912140408.0 | |
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| 100 | @a20210115d2021 em y0chiy50 ea | |
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| 102 | @aCN@b110000 | |
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| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a计算光刻与版图优化@Aji suan guang ke yu ban tu you hua@b专著@f韦亚一[等]著 |
| 210 | @a北京@c电子工业出版社@d2021.1 | |
| 215 | @a10,238页@c图@d26cm | |
| 300 | @a中国科学院大学研究生数学辅导书系列 | |
| 300 | @a集成电路技术丛书 | |
| 304 | @a著者还有: 粟雅娟, 董立松, 张利斌等 | |
| 312 | @a英文并列题名取自封面:Computational lithography & layout optimization | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书共7章,首先对集成电路设计与制造的流程做简要介绍,接着介绍集成电路物理设计(版图设计)的全流程,然后介绍光刻模型、分辨率增强技术、刻蚀效应修正、可制造性设计,最后介绍设计与工艺协同优化。本书内容紧扣先进技术节点集成电路制造的实际情况,涵盖计算光刻与版图优化的发展状态和未来趋势,系统介绍了计算光刻与刻蚀的理论,论述了版图设计与制造工艺的关系,以及版图设计对制造良率的影响,讲述和讨论了版图设计与制造工艺联合优化的概念和方法论,并结合具体实施案例介绍了业界的具体做法。 | |
| 510 | 1 | @aComputational lithography & layout optimization@zeng |
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| 计算光刻与版图优化/韦亚一[等]著.-北京：电子工业出版社，2021.1 |
| 10,238页：图；26cm |
| 中国科学院大学研究生数学辅导书系列.-集成电路技术丛书 |
| ISBN 978-7-121-40226-5：CNY79.00 |
| 本书共7章,首先对集成电路设计与制造的流程做简要介绍,接着介绍集成电路物理设计(版图设计)的全流程,然后介绍光刻模型、分辨率增强技术、刻蚀效应修正、可制造性设计,最后介绍设计与工艺协同优化。本书内容紧扣先进技术节点集成电路制造的实际情况,涵盖计算光刻与版图优化的发展状态和未来趋势,系统介绍了计算光刻与刻蚀的理论,论述了版图设计与制造工艺的关系,以及版图设计对制造良率的影响,讲述和讨论了版图设计与制造工艺联合优化的概念和方法论,并结合具体实施案例介绍了业界的具体做法。 |
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正题名：计算光刻与版图优化
索取号：TN405.98/212
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1337327 | 213373277 | 第二样本阅览室/ [索取号:TN405.98/212] | 在馆 | |
| 2 | 1337328 | 213373286 | 第三借阅区/ [索取号:TN405.98/212] | 在馆 | |
| 3 | 1337329 | 213373295 | 第三借阅区/ [索取号:TN405.98/212] | 在馆 | |
| 4 | 1337330 | 213373302 | 第三借阅区/ [索取号:TN405.98/212] | 在馆 |