书目信息 |
| 题名： |
用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
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| 作者： | 楚罕 著 ；陈铖颖 ， 张宏怡 ， 荆有波 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2020.9 |
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| 页数： | 239页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 微电子与集成电路先进技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN402 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路--电路设计--系统建模 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-65981-5 | |
| 000 | 01809nam0 2200373 45 | |
| 001 | 012001002050 | |
| 005 | 20140913094953.0 | |
| 010 | @a978-7-111-65981-5@dCNY99.00 | |
| 100 | @a20201123d2020 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa z 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a用于集成电路仿真和设计的FinFET建模@Ayong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo@b专著@e基于BSIM-CMG标准@f(印)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)[等]著@g陈铖颖，张宏怡，荆有波译 |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2020.9 | |
| 215 | @a239页@c图@d24cm | |
| 225 | 1 | @a微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 300 | @a并列题名：FinFET mdeling for IC simulation and design | |
| 304 | @a著者还有：(美)达森·杜安·卢(Darsen Duane Lu)、(印)史利南库马尔·维努戈帕兰(Sriramkumar Venugopalan)、(印)苏拉布·坎德瓦尔(Sourabh Khandelwal)、(美)胡安·帕布鲁·杜阿尔特(Juan Pablo Duarte)、(加)纳韦德·帕瓦多斯(Navid Paydavosi)等7人 | |
| 305 | @aElsevier Inc.授权出版 | |
| 306 | @a限中国大陆发行 | |
| 312 | @a版权页英文题名：FinFET mdeling for IC simulation and design: using the BSIM-CMG standard | |
| 330 | @a本书从三维结构的原理、物理效应入手，讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 461 | 0 | @12001 @a微电子与集成电路先进技术丛书 |
| 510 | 1 | @aFinFET mdeling for IC simulation and design@eusing the BSIM-CMG standard@zeng |
| 606 | 0 | @a集成电路@x电路设计@x系统建模 |
| 690 | @aTN402@v5 | |
| 701 | 0 | @c(印)@a楚罕@Achu han@c(Chauhan, Yogesh Singh)@4著 |
| 702 | 0 | @a陈铖颖@Achen cheng ying@4译 |
| 702 | 0 | @a张宏怡@Azhang hong yi@4译 |
| 702 | 0 | @a荆有波@Ajing you bo@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@bBJSDL@c20211011 |
| 905 | @b1338243-6@dTN402@e213@f4 | |
| 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模：基于BSIM-CMG标准/(印)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)[等]著/陈铖颖，张宏怡，荆有波译.-北京：机械工业出版社，2020.9 |
| 239页：图；24cm.-(微电子与集成电路先进技术丛书) |
| 并列题名：FinFET mdeling for IC simulation and design |
| ISBN 978-7-111-65981-5：CNY99.00 |
| 本书从三维结构的原理、物理效应入手，讨论了FinFET紧凑模型产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。 |
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| 相关链接 |
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正题名：用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
索取号：TN402/213
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1338243 | 213382436 | 第二样本阅览室/ [索取号:TN402/213] | 在馆 | |
| 2 | 1338244 | 213382445 | 第三借阅区/ [索取号:TN402/213] | 在馆 | |
| 3 | 1338245 | 213382454 | 第三借阅区/ [索取号:TN402/213] | 在馆 | |
| 4 | 1338246 | 213382463 | 第三借阅区/ [索取号:TN402/213] | 在馆 |