书目信息 |
题名: |
衍射极限附近的光刻工艺
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作者: | 伍强 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 清华大学出版社 2020.10 |
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页数: | 665页 | |
开本: | 26cm | |
丛书名: | 高端集成电路制造工艺丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN305.7 | |
科图分类: | ||
主题词: | 光刻设备--研究 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-302-53742-7 |
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330 | @a本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图景。 | |
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衍射极限附近的光刻工艺=Photolithography process near the diffraction limit/伍强等编著.-北京:清华大学出版社,2020.10 |
665页:图,照片;26cm.-(高端集成电路制造工艺丛书) |
2019年国家出版基金资助项目 “十三五”国家重点图书出版规划项目 国家出版基金项目 彩色内页版.-并列题名:Photolithography process near the diffraction limit |
ISBN 978-7-302-53742-7:CNY168.00 |
本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图景。 |
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正题名:衍射极限附近的光刻工艺
索取号:TN305.7/86
 
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1 | 1351098 | 213510985 | 第二样本阅览室/ [索取号:TN305.7/86] | 在馆 | |
2 | 1351099 | 213510994 | 第三借阅区/ [索取号:TN305.7/86] | 在馆 | |
3 | 1351100 | 213511001 | 第三借阅区/ [索取号:TN305.7/86] | 在馆 |